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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Confronto
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Punteggio complessivo
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Motivi da considerare
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
38
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.6
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.0
9.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
27
Velocità di lettura, GB/s
12.8
19.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.1
16.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2099
3909
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
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