RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
42
Intorno -20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
35
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
3164
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link