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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Pontuação geral
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
42
Por volta de -20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
12.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2326
3164
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
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