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Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
47
Intorno 40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.1
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
28
47
Velocità di lettura, GB/s
11.1
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
5.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
10600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1706
1413
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Corsair CMX16GX3M2A1333C9 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
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