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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Confronto
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
41
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
8.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
41
40
Velocità di lettura, GB/s
14.1
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2240
2205
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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