Comparação RAM Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

Pontuação geral

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

14.1 13.9

Valor médio nos testes

Razões a considerar
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

40 41

Por volta de -3% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

8.6 8.2

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2240 2205

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns