Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

Pontuação geral
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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

Pontuação geral
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SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    14.1 left arrow 13.9
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    40 left arrow 41
    Por volta de -3% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.6 left arrow 8.2
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    41 left arrow 40
  • Velocidade de leitura, GB/s
    14.1 left arrow 13.9
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.2 left arrow 8.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2240 left arrow 2205
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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