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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

Puntuación global
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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

Puntuación global
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SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.1 left arrow 13.9
    Valor medio en las pruebas
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Informar de un error
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    40 left arrow 41
    En -3% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.6 left arrow 8.2
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    41 left arrow 40
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.1 left arrow 13.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.2 left arrow 8.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2240 left arrow 2205

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