RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Porównaj
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
41
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
41
40
Prędkość odczytu, GB/s
14.1
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2240
2205
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link