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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

总分
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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

总分
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SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
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  • 更快的读取速度，GB/s
    14.1 left arrow 13.9
    测试中的平均数值
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    40 left arrow 41
    左右 -3% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.6 left arrow 8.2
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时，ns
    41 left arrow 40
  • 读取速度，GB/s
    14.1 left arrow 13.9
  • 写入速度，GB/s
    8.2 left arrow 8.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2240 left arrow 2205

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