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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

総合得点
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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

総合得点
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SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.1 left arrow 13.9
    テスト平均値
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    40 left arrow 41
    周辺 -3% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.6 left arrow 8.2
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 40
  • 読み出し速度、GB/s
    14.1 left arrow 13.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 8.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2240 left arrow 2205

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