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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Comparez
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Note globale
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Note globale
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
41
Autour de -3% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
41
40
Vitesse de lecture, GB/s
14.1
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2240
2205
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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