Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

Punteggio complessivo
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    19 left arrow 28
    Intorno -47% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    18.7 left arrow 11.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    14.2 left arrow 8.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 12800
    Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    28 left arrow 19
  • Velocità di lettura, GB/s
    11.8 left arrow 18.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.2 left arrow 14.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1854 left arrow 3220
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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