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Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
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Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
28
Autour de -47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
19
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1854
3220
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
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