RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
28
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
19
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1854
3220
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link