RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
28
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
19
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
18.7
Скорость записи, Гб/сек
8.2
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1854
3220
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link