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Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
32
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
32
Velocità di lettura, GB/s
11.8
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1854
2831
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
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