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Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
32
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
32
Velocità di lettura, GB/s
11.8
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1854
2831
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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