RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB против Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.2
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1854
2831
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link