Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB против Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Shenzhen Technology Co Ltd  8GB

Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 32
    Около 13% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.9 left arrow 11.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.9 left arrow 8.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 32
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.8 left arrow 15.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.2 left arrow 11.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1854 left arrow 2831
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения