RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Gesamtnote
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
32
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
11.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1854
2831
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link