Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Punteggio complessivo
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Punteggio complessivo
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    27 left arrow 65
    Intorno -141% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    17.4 left arrow 6.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    14.5 left arrow 4.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 8500
    Intorno 3.01 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    65 left arrow 27
  • Velocità di lettura, GB/s
    6.1 left arrow 17.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    4.2 left arrow 14.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    8500 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    985 left arrow 3692
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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