Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Средняя оценка
star star star star star
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 65
    Около -141% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.4 left arrow 6.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.5 left arrow 4.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 8500
    Около 3.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    65 left arrow 27
  • Скорость чтения, Гб/сек
    6.1 left arrow 17.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    4.2 left arrow 14.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    8500 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    985 left arrow 3692
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения