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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Comparez
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Note globale
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Note globale
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Raisons de considérer
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
65
Autour de -141% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
4.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
8500
Autour de 3.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
27
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
4.2
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
25600
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
985
3692
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Comparaison des RAM
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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