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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
14.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
9.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
28
Intorno -12% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
25
Velocità di lettura, GB/s
18.2
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
11.5
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3067
2340
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
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