Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

34 46

Intorno 26% latenza inferiore

Motivi da considerare
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

16 8.6

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.4 5.8

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 10600

Intorno 2.42 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1682 2660

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns