RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

34 46

Rund um 26% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16 8.6

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.4 5.8

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 10600

Rund um 2.42 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1682 2660

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns