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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
46
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
46
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
2660
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
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