Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB vs Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB vs Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

31 41

Intorno 24% latenza inferiore

Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2066 2016

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns