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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB vs Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
41
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
31
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
9.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2066
2016
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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