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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB vs Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
41
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
31
41
Velocidad de lectura, GB/s
11.3
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2066
2016
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
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