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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
32
Intorno 9% latenza inferiore
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
32
Velocità di lettura, GB/s
13.4
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2868
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
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