RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
62
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
39
Velocità di lettura, GB/s
7.4
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
2651
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link