RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
48
62
Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
48
Velocità di lettura, GB/s
7.4
12.3
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
3061
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston KHX2666C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link