RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
62
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.3
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
48
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
12.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3061
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston KHX2666C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link