RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
62
Intorno -114% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.8
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.9
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
29
Velocità di lettura, GB/s
7.4
20.8
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
16.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
3901
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link