RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
62
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
29
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3901
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link