RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
62
Intorno -121% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
28
Velocità di lettura, GB/s
7.4
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
2179
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link