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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
57
Intorno 47% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.4
8.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.6
5.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
57
Velocità di lettura, GB/s
8.8
9.4
Velocità di scrittura, GB/s
5.6
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1344
2170
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
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