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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
74
Intorno -222% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
23
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
19.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3964
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
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