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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
74
左右 -222% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
23
读取速度,GB/s
4,178.4
19.3
写入速度,GB/s
2,201.1
15.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3964
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
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