RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
74
Около -222% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
19.3
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
3964
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link