RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
74
Autour de -222% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
3964
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link