RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
57
Около 47% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.4
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.6
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
57
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
9.4
Скорость записи, Гб/сек
5.6
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
2170
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link