Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

26 35

Intorno 26% latenza inferiore

Motivi da considerare
Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

16.5 12.8

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

10.7 8.3

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2186 2691

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns