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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

総合得点
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Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 35
    周辺 26% 低遅延
Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB 考慮すべき理由
Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.5 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.7 left arrow 8.3
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    12.8 left arrow 16.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.3 left arrow 10.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2186 left arrow 2691

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