RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
8.3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
10600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2186
2691
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773QB0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link