RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
65
Intorno -195% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
22
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
3178
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link