RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
65
Wokół strony -195% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3178
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link