RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
54
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
46
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2660
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link