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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
46
54
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
46
读取速度,GB/s
9.2
16.0
写入速度,GB/s
8.1
12.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2660
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
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