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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
比较
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
总分
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
总分
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
29
读取速度,GB/s
12.6
16.6
写入速度,GB/s
9.5
15.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2174
3629
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
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