RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
65
Intorno -225% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
20
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
19.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
3429
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link